特許
J-GLOBAL ID：200903068776947252

成膜処理方法

発明者：
清田 久晴

清田 久晴 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-023593
公開番号（公開出願番号）：特開平8-222544
出願日： 1995年02月13日
公開日（公表日）： 1996年08月30日
要約：
【要約】【目的】 残留塩素による上層膜の剥がれや腐食を防止できる成膜処理方法を提供する。【構成】 塩素を含有する反応ガスを用いたエッチングによって処理表面15を形成する。処理表面15にアルコールのプラズマを照射するかまたは処理表面15をシリコン系化合物のラジカルにさらし、エッチングによって処理表面15に吸着した状態の塩素Aを処理表面15から除去する清浄化処理を行う。処理表面15上に上層膜19を成膜する。これによって、処理表面15と上層膜19との間に塩素Aが残留することを防止する。
請求項（抜粋）：
塩素を含有する反応ガスを用いた成膜またはエッチングによって形成された処理表面上に上層膜を成膜する際の処理方法であって、前記処理表面にアルコールのプラズマを照射する清浄化処理を行った後、当該処理表面上に前記上層膜を成膜することを特徴とする成膜処理方法。
IPC (6件)：
H01L 21/3065 ,  C23C 16/02 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/304 341
FI (6件)：
H01L 21/302 N ,  C23C 16/02 ,  C23F 4/00 E ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/304 341 D
引用特許：
審査官引用 (2件)
  • 表面処理方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-181435   出願人：株式会社東芝
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-288031   出願人：日本電気株式会社

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