特許
J-GLOBAL ID：200903068777111638

電気光学装置の製造方法及び電気光学装置並びに電子機器

発明者：
上原 利範

上原 利範 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 上柳 雅誉 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-388394
公開番号（公開出願番号）：特開2003-186415
出願日： 2001年12月20日
公開日（公表日）： 2003年07月04日
要約：
【要約】【課題】 電気光学装置内に形成される配線等を、低抵抗の導電物質を用い高精細なパターンの配線を簡便かつ低コストで形成し、くわえて、配線等の薄型化を実現することができる電気光学装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 基板300にパターン非形成領域とパターン形成領域とを有する第1の金属酸化物層314Xを形成する工程と、パターン非形成領域における基板上、及び前記パターン形成領域上に銀及び金を含む導電膜312Xを形成する工程と、導電膜312X上に、パターン非形成領域及びパターン形成領域に平面的に重なるように第2の金属酸化物層314Yを形成する工程と、パターン非形成領域及びパターン形成領域に平面的に重なるように第2の金属酸化物層314Y上にレジストマスクを形成して、第1及び第2の金属酸化物層314X、314Yよりも導電膜312Xに対するエッチングレートが高いエッチング液を用いて、エッチングを行う工程と、を具備することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
請求項（抜粋）：
電気光学装置の製造方法において、基板にパターン非形成領域とパターン形成領域とを有する第1の金属酸化物層を形成する工程と、前記パターン非形成領域における基板上、及び前記パターン形成領域上に銀及び金を含む導電膜を形成する工程と、前記導電膜上に、前記パターン非形成領域及びパターン形成領域に平面的に重なるように第2の金属酸化物層を形成する工程と、前記パターン非形成領域及び前記パターン形成領域に平面的に重なるように前記第2の金属酸化物層上にレジストマスクを形成して、前記第1及び第2の金属酸化物層よりも前記導電膜に対するエッチングレートが高いエッチング液を用いて、エッチングを行う工程と、を具備することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
IPC (4件)：
G09F 9/00 342 ,  G02F 1/1343 ,  G09F 9/30 330 ,  G09F 9/35
FI (4件)：
G09F 9/00 342 C ,  G02F 1/1343 ,  G09F 9/30 330 Z ,  G09F 9/35
Fターム (40件)：
2H092GA25 ,  2H092GA34 ,  2H092GA42 ,  2H092GA45 ,  2H092GA48 ,  2H092GA50 ,  2H092GA51 ,  2H092GA60 ,  2H092HA04 ,  2H092HA06 ,  2H092HA14 ,  2H092HA19 ,  2H092JB24 ,  2H092JB33 ,  2H092MA18 ,  2H092MA20 ,  2H092NA28 ,  2H092PA06 ,  2H092PA08 ,  5C094AA05 ,  5C094AA15 ,  5C094AA42 ,  5C094AA44 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DA13 ,  5C094EA04 ,  5C094EA06 ,  5C094FB12 ,  5C094GB10 ,  5C094HA08 ,  5G435AA17 ,  5G435AA18 ,  5G435BB12 ,  5G435CC09 ,  5G435HH12 ,  5G435KK05 ,  5G435LL07 ,  5G435LL08 ,  5G435LL14
引用特許：
審査官引用 (3件)

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