薄膜トランジスタおよびそれを備えた液晶表示装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：志賀正武 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-372182
公開番号（公開出願番号）：特開2000-196098
出願日： 1998年12月28日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
要約：

【要約】【課題】本発明の目的は、オン電流を大きくさせるとともに、オフ電流を抑制して液晶表示装置に応用した場合の開口率の低下を防止し、コントラストを高めることができる薄膜トランジスタの提供を目的とする。【解決手段】本発明は、ゲート電極3上にゲート絶縁膜4を介してアイランド状の半導体能動膜5が設けられ、前記ゲート電極3の両側から延びて前記半導体能動膜上にソース電極7とドレイン電極8とが間隔をあけて対峙して設けられ、対峙する前記ソース電極7と前記ドレイン電極8との間の部分に対応する半導体能動膜5の部分がチャネル部15とされてなり、前記ゲート電極3に乗り上げた部分の前記ソース電極7の幅および前記ゲート電極3に乗り上げた部分の前記ドレイン電極8の幅よりも、該幅方向の前記チャネル部15の幅が大きくされてなることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

ゲート電極上にゲート絶縁膜を介してアイランド状の半導体能動膜が設けられ、前記ゲート電極の両側から延びて前記半導体能動膜上にソース電極とドレイン電極とが間隔をあけて対峙して設けられ、対峙する前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の部分に対応する半導体能動膜の部分がチャネル部とされてなり、前記ゲート電極に乗り上げた部分の前記ソース電極の幅および前記ゲート電極に乗り上げた部分の前記ドレイン電極の幅よりも、該幅方向の前記チャネル部の幅が大きくされてなることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/786 , G02F 1/136 500

FI (3件)：

H01L 29/78 618 C , G02F 1/136 500 , H01L 29/78 616 T

Fターム (24件)：

2H092GA13 , 2H092JA24 , 2H092JA34 , 2H092JA37 , 2H092JA41 , 2H092JA46 , 2H092NA07 , 2H092NA22 , 2H092NA26 , 5F110AA06 , 5F110AA11 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110GG02 , 5F110GG15 , 5F110GG23 , 5F110GG29 , 5F110HK09 , 5F110HK16 , 5F110HK25 , 5F110NN02 , 5F110NN72 , 5F110QQ01

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平2-010331
薄膜トランジスタおよび薄膜トランジスタ基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-069982 出願人：シャープ株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-072827 出願人：株式会社東芝

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