特許
J-GLOBAL ID：200903068781563829
薄膜トランジスタ回路、発光表示装置と及びそれらの駆動方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
山下 穣平
, 永井 道雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-209984
公開番号（公開出願番号）：特開2009-042664
出願日： 2007年08月10日
公開日（公表日）： 2009年02月26日
要約：
【課題】TFTの使用時における電気的ストレスのTFT特性に対する影響を抑制する。【解決手段】本発明に係る発光表示装置は、有機EL素子(OLED)と有機EL素子を駆動する駆動回路とを有し、駆動回路がゲート端子・ソース端子間に印加される電気的ストレスにより閾値電圧が可逆的に変化する薄膜トランジスタTFT1を備えている画素の複数と、薄膜トランジスタTFT1のゲート電位を、ソース電位より高く設定する電圧印加手段とを備える発光表示装置である。電圧印加手段は、閾値電圧が電気的ストレスに対して飽和する領域で薄膜トランジスタを駆動するように、薄膜トランジスタの非駆動時にゲート端子・ソース端子間に電気的ストレスを印加する。【選択図】図8
請求項（抜粋）：
ゲート端子・ソース端子間に印加される電気的ストレスにより閾値電圧が可逆的に変化する薄膜トランジスタを有する薄膜トランジスタ回路の駆動方法であって、
前記閾値電圧が前記電気的ストレスに対して飽和する領域で前記薄膜トランジスタを駆動するように、該薄膜トランジスタの非駆動時にゲート端子・ソース端子間に電気的ストレスを印加する工程を有することを特徴とする薄膜トランジスタ回路の駆動方法。
IPC (3件)：
G09G 3/30
, G09G 3/20
, H01L 51/50
G09G3/30 J
, G09G3/20 624B
, G09G3/20 670J
, H05B33/14 A
3K107AA01
, 3K107BB01
, 3K107EE03
, 3K107HH04
, 3K107HH05
, 5C080AA06
, 5C080BB05
, 5C080DD29
, 5C080EE29
, 5C080FF11
, 5C080JJ03
, 5C080JJ05
, 5C080JJ06
