文献

J-GLOBAL ID：200902251721771991   整理番号：04A0851438

非晶質酸化物半導体を使った透明でフレキシブルな薄膜トランジスタの室温形成

Room-temperature fabrication of transparent flexible thin-film transistors using amorphous oxide semiconductors

著者 (6件)： NOMURA K (JST-ERATO, Yokohama, JPN) ,  OHTA H (JST-ERATO, Yokohama, JPN) ,  TAKAGI A (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  KAMIYA T (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  HIRANO M (JST-ERATO, Yokohama, JPN) ,  HOSONO H (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
資料名： Nature (London)  (Nature (London))
巻： 432  号： 7016  ページ： 488-492  発行年： 2004年11月25日 
JST資料番号： D0193B  ISSN： 0028-0836  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フレキシブルな基板上に作製する透明な電子デバイスは,シリコン...

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=04A0851438&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=D0193B") }}

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (4件)： 非晶質 ,  酸化物半導体 ,  薄膜トランジスタ ,  室温