半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：服部毅巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-311594
公開番号（公開出願番号）：特開2003-121268
出願日： 2001年10月09日
公開日（公表日）： 2003年04月23日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】半導体装置の外部に外付け部品を付加する必要があるため、半導体装置の実装面積が増加する。また基準となる信号が変化することになるため、測定精度が低下する。【解決手段】センサー部30は、第1の半導体素子(第1の抵抗30b,30d)と、第1の半導体素子(第1の抵抗30b,30d)とは温度特性が異なる第2の半導体素子(第2の抵抗30a,30c)とを有し、処理部33に近接して配置される。温度変化検出部31は、センサー部30を構成する第1の半導体素子(第1の抵抗30b,30d)および第2の半導体素子(第2の抵抗30a,30c)に生ずる特性変化により処理部の温度変化を検出する。較正部32は、温度変化検出部31による検出結果に応じて、処理部33の動作を較正する。

請求項（抜粋）：

所定の処理を実行する処理部と、第1の半導体素子と、前記第1の半導体素子とは温度特性が異なる第2の半導体素子とを有し、前記処理部に近接して配置されるセンサー部と、前記センサー部を構成する第1の半導体素子および第2の半導体素子に生ずる特性変化により前記処理部の温度変化を検出する温度変化検出部と、前記温度変化検出部による検出結果に応じて、前記処理部の動作を較正する較正部と、を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

G01K 7/20 , H01L 21/822 , H01L 27/04

FI (2件)：

G01K 7/20 Z , H01L 27/04 F

Fターム (9件)：

5F038AR08 , 5F038AR09 , 5F038AR28 , 5F038AZ03 , 5F038AZ08 , 5F038CA08 , 5F038DF03 , 5F038DF06 , 5F038EZ20

引用特許：

審査官引用 (4件)

温度測定方法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-190593 出願人：エスエスアイ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド
ラジオ受信機
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-078315 出願人：三洋電機株式会社
特開平4-172805

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