特許

J-GLOBAL ID：200903068790239090

強誘電体薄膜及びその製造方法

発明者： 飯島 高志 ,  安田 喜昭 ,  赤松 雅洋 ,  谷 雅直
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所 ,  スタンレー電気株式会社
代理人 (1件)： 丹羽 宏之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-268803
公開番号（公開出願番号）：特開2003-081694
出願日： 2001年09月05日
公開日（公表日）： 2003年03月19日
要約：

【要約】【課題】 簡便なプロセスで、膜厚が1μm以上の比較的厚い膜でも優先的な結晶配向を制御可能な強誘電体薄膜を得られるようにする。【解決手段】 化学溶液堆積法とアーク放電反応性イオンプレーティング法を用いて、単結晶、多結晶、非晶質の何れかの基体上に形成された多結晶のPt膜上に、2種類以上の複数種の優先的な結晶配向性の強誘電体酸化物薄膜を形成し、1軸優先配向性の強誘電体薄膜を作製する。その際、Si基板101上にSiO2層102を設け、その上にTi電極層103、Pt電極層104を形成したものを下地基板とし、この基板上に、強誘電体シード層106と強誘電体薄膜層105を順次形成する。

請求項（抜粋）：

基体上に形成されたPt膜上に、複数種の優先的な結晶配向性の強誘電体酸化物膜を形成したことを特徴とする1軸優先配向性の強誘電体薄膜。

IPC (7件)：

C30B 29/32 ,  C23C 14/34 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/105 ,  H01L 41/08 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/187

FI (10件)：

C30B 29/32 A ,  C23C 14/34 N ,  H01L 21/316 B ,  H01L 21/316 G ,  H01L 21/316 M ,  H01L 21/316 X ,  H01L 27/10 444 C ,  H01L 41/08 D ,  H01L 41/18 101 D ,  H01L 41/18 101 Z

Fターム (28件)：

4G077AA03 ,  4G077BC41 ,  4G077DA15 ,  4G077EF01 ,  4G077HA06 ,  4G077SA04 ,  4G077SB05 ,  4K029AA06 ,  4K029BA43 ,  4K029BB02 ,  4K029BD01 ,  4K029CA03 ,  4K029DD06 ,  4K029EA01 ,  4K029FA07 ,  5F058BA11 ,  5F058BD05 ,  5F058BF18 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F083FR01 ,  5F083JA15 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083PR22 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特許第2995290号
  
• 強誘電体薄膜の製造方法及びその製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-041160   出願人：スタンレー電気株式会社