特許

J-GLOBAL ID：200903090750427035

強誘電体薄膜の製造方法及びその製造装置

発明者： 安田 喜昭 ,  谷 雅直
出願人/特許権者： スタンレー電気株式会社
代理人 (1件)： 丹羽 宏之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-041160
公開番号（公開出願番号）：特開2001-234331
出願日： 2000年02月18日
公開日（公表日）： 2001年08月31日
要約：

【要約】【課題】 ペロブスカイト型構造の強誘電体酸化物の薄膜製造において、薄膜の作製温度を下げることができ、高品質の薄膜が得られるようにする。【解決手段】 真空容器1内で蒸発源2により成膜の材料M1〜M2を独立に蒸発させ、また圧力勾配型アーク放電プラズマガン6により反射型URプラズマ7を発生させ、これにガス導入管10,11から酸素ガスを導入して、この高密度酸素プラズマ及び酸素の活性種の存在下で、ヒータ4により加熱された基体3に強誘電体酸化物の薄膜を形成する。

請求項（抜粋）：

真空チャンバ内で基体に強誘電体の薄膜を成膜する薄膜製造方法であって、複数の成膜材料をそれぞれ独立に蒸発させ、これらの材料を圧力勾配型アーク放電プラズマガンからの反射型プラズマを介して同時に基体上に蒸着するようにしたことを特徴とする強誘電体薄膜の製造方法。

IPC (3件)：

C23C 14/08 ,  C01G 25/00 ,  C23C 14/38

FI (3件)：

C23C 14/08 K ,  C01G 25/00 ,  C23C 14/38

引用特許：

審査官引用 (4件)

• MgO膜形成方法およびパネル
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-181213   出願人：大日本印刷株式会社
• 特開平3-271360
  
• 真空成膜装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-181244   出願人：大日本印刷株式会社
• 特開平4-246168