半導体量子井戸素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：古谷聡 , 溝部孝彦 , 西山清春
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-516613
公開番号（公開出願番号）：特表2008-502943
出願日： 2005年06月13日
公開日（公表日）： 2008年01月31日
要約：

半導体量子井戸素子及びその製造方法を開示する。一態様では、素子は、半導体層(40-52)を含む量子井戸構造(38)からなり、半導体層(40-52)は交互に配置されている重い正孔と軽い正孔の価電子帯量子井戸を画定する。量子井戸のそれぞれは、障壁層の間に介在する量子井戸層を含む。軽い正孔の量子井戸(60、62)の一つの障壁層として機能する半導体層の一つは、重い正孔の量子井戸(54、56、58)の一つの量子井戸層としても機能する。重い正孔の量子井戸(54、56、58)の一つの障壁層として機能する他の半導体層は、軽い正孔の量子井戸(60、62)の一つの量子井戸層としても機能する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

半導体層(40-52)からなる量子井戸構造(38)を含む素子であって、該半導体層(40-52)が交互に配置されている重い正孔と軽い正孔の価電子帯量子井戸を画定し、該量子井戸のそれぞれが障壁層の間に介在する量子井戸層からなるものにおいて、前記軽い正孔の量子井戸(60、62)の障壁層として機能する前記半導体層の一つが前記重い正孔の量子井戸(54、56、58)の一つの量子井戸層としても機能し、前記重い正孔の量子井戸(54、56、58)の一つの障壁層として機能する前記半導体層の他のものが前記軽い正孔の量子井戸(60、62)の一つの量子井戸層としても機能する素子。

IPC (4件)：

G02F 1/017 , H01L 29/06 , H01S 5/343 , H01L 33/00

FI (4件)：

G02F1/017 503 , H01L29/06 601W , H01S5/343 , H01L33/00 A

Fターム (10件)：

2H079AA02 , 2H079AA13 , 2H079BA01 , 2H079DA16 , 2H079EA01 , 2H079EB04 , 2H079HA04 , 5F041CA05 , 5F173AF04 , 5F173AF15

引用特許：

審査官引用 (1件)

信号伝送用半導体光源装置の駆動方法、信号伝送用光源装置、およびそれを用いた光通信方法および光通信システム
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-185639 出願人：キヤノン株式会社

引用文献：

審査官引用 (3件)

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