特許
J-GLOBAL ID:200903068804867618
半導体検査装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
作田 康夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-271804
公開番号(公開出願番号):特開2001-091543
出願日: 1999年09月27日
公開日(公表日): 2001年04月06日
要約:
【要約】【課題】従来の半導体素子検査装置では、個々のプローブを高精度に位置決め、固定することに大きな手間を要し、一度に検査できる電極パッド数およびチップ数が限られていた。【解決手段】検査用半導体素子の複数の電極パッドと検査装置に配置された複数の電気接続基板のシリコンからなる第一基板に形成されたプローブを個々に直接接触させて、電気的に接続しながら半導体素子を検査する装置において、前記プローブが形成された第一基板はプローブが片持ち梁上に形成され、絶縁層を介して、配線がプローブ先端から片持ち梁の先端部に沿って、プローブ形成面の反対面に形成された電極パッド部まで、連続してつながっている構造を用いることにより解決できる。
請求項(抜粋):
検査用半導体素子の複数の電極パッドと検査装置に配置された複数の電気接続基板のシリコンからなる第一基板に形成されたプローブを個々に直接接触させて、電気的に接続しながら半導体素子を検査する装置において、前記プローブが形成された第一基板はプローブが片持ち梁上に形成され、絶縁層を介して、配線がプローブ先端から片持ち梁の先端部に沿って、プローブ形成面の反対面に形成された電極パッド部まで連続してつながっていることを特徴とする半導体検査装置。
IPC (2件):
FI (2件):
G01R 1/073 F
, H01L 21/66 B
Fターム (18件):
2G011AA16
, 2G011AA21
, 2G011AB01
, 2G011AB06
, 2G011AB09
, 2G011AC06
, 2G011AC14
, 2G011AC32
, 2G011AE03
, 2G011AF07
, 4M106AA01
, 4M106BA01
, 4M106CA01
, 4M106CA09
, 4M106CA56
, 4M106DD03
, 4M106DD15
, 4M106DD30
引用特許: