特許
J-GLOBAL ID：200903068805883773
電子放出素子、電子源、画像形成装置及びそれらの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡辺 敬介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-257746
公開番号（公開出願番号）：特開2000-090820
出願日： 1998年09月11日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：
【要約】【課題】 低コストで大画面化が可能な新規な電子放出素子、並びにそれを用いた電子源、画像形成装置及びそれらの製造方法を提供する。【解決手段】 素子電極2,3間に、電子放出部5を含む導電性膜4を有する電子放出素子の製造方法において、素子電極2,3を形成する工程が、基板1上に光照射または光照射と加熱により光照射部分の親水基残量が減少する樹脂組成物層6を形成する工程と、樹脂組成物層6の素子電極を形成する部分以外に光照射または光照射と加熱を施す工程と、樹脂組成物層6の光未照射部に金属元素を含有する溶液8を付与する工程と、樹脂組成物層6を熱処理分解して素子電極2,3を形成する工程からなる。
請求項（抜粋）：
基板上に形成された一対の素子電極間に、電子放出部を含む導電性膜を有する電子放出素子の製造方法において、素子電極を形成する工程が、(1)基板上に、光照射または光照射と加熱により光照射部分の親水基残量が減少する樹脂組成物層を形成する工程、(2)該樹脂組成物層の素子電極を形成する部分以外に光照射または光照射と加熱を施す工程、(3)該樹脂組成物層の光未照射部に金属元素を含有する溶液を付与する工程、(4)該樹脂組成物層を熱処理により分解させる工程、を含むことを特徴とする電子放出素子の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01J 9/02 E
, H01J 1/30 E
