特許

J-GLOBAL ID：200903091873966808

表面伝導型電子放出素子およびその製造方法、ならびに同電子放出素子を備えた電子源、画像形成装置

発明者： 田村 美樹
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 伊東 哲也 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-078163
公開番号（公開出願番号）：特開平9-245625
出願日： 1996年03月07日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：

【要約】【課題】 低コストかつ容易に大面積にわたって均一な電子放出特性を得る。【解決手段】 絶縁性基板1上に対向して形成された素子電極2,3を少なくとも有する電極基板11、および前記素子電極間に形成された導電性薄膜を有する表面伝導型電子放出素子の製造方法において、上記素子電極間に、導電性薄膜を形成する材料を含む溶液9を付与することによって導電性薄膜を形成する工程を有し、また、該溶液を付与する前に、少なくとも、導電性薄膜を形成する電極基板表面を親水化処理(6)する工程、または導電性薄膜を形成しない電極基板表面を疎水化処理(7)する工程のいずれかの工程を有する。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上に対向して形成された素子電極を少なくとも有する電極基板、および前記素子電極間に形成された導電性薄膜を有する表面伝導型電子放出素子の製造方法において、上記素子電極間に、導電性薄膜を形成する材料を含む溶液を付与することによって導電性薄膜を形成する工程を有し、また、該溶液を付与する前に、少なくとも、導電性薄膜を形成する電極基板表面を親水化処理する工程、または導電性薄膜を形成しない電極基板表面を疎水化処理する工程のいずれかの工程を有することを特徴とする表面伝導型電子放出素子の製造方法。

IPC (4件)：

H01J 9/02 ,  B41J 2/01 ,  H01J 1/30 ,  H01J 31/12

FI (4件)：

H01J 9/02 B ,  H01J 1/30 B ,  H01J 31/12 C ,  B41J 3/04 101 Z

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 電子放出素子、電子源基板、電子源、表示パネルおよび画像形成装置ならびにそれらの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-320927   出願人：キヤノン株式会社