特許
J-GLOBAL ID：200903068806971846
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-085788
公開番号（公開出願番号）：特開平11-283993
出願日： 1998年03月31日
公開日（公表日）： 1999年10月15日
要約：
【要約】【課題】エミッタ、ベース間のpn接合における漏れ電流を抑え、効果的に注入効率を高めることができるため、より高い電流増幅率を有するとトラジスタが得られるとともに、コスト低減を図ることができる。【解決手段】真空容器あるいは不活性ガス雰囲気で充満させた容器中に、半導体基板あるいは半導体膜を堆積させた固体基板を配置し、前記基板を加熱しながら前記容器中にシリコン化合物ガスを導入すると同時に燐化合物ガスあるいはほう素化合物ガスを前記容器中に導入し、前記基板上にn型層,p型層及びn型層のnpn3層構造のバイポーラトランジスタを製作することを特徴とする半導体装置の製造方法。
請求項（抜粋）：
真空容器あるいは不活性ガス雰囲気で充満させた容器中に、半導体基板あるいは半導体膜を堆積させた固体基板を配置し、前記基板を加熱しながら前記容器中にシリコン化合物ガスを導入すると同時に燐化合物ガスあるいはほう素化合物ガスを前記容器中に導入し、前記基板上にn型層,p型層及びn型層のnpn3層構造のバイポーラトランジスタを製作することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 21/205
