特許
J-GLOBAL ID：200903068808035692
ドライエッチング方法及び装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊丹 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-302014
公開番号（公開出願番号）：特開平9-129610
出願日： 1995年10月26日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：
【要約】【課題】 選択性を犠牲にすることなく、高い生産性を確保しながら、低圧高密度プラズマで配線エッチングを行う場合の形状異常の発生を抑制することを可能としたドライエッチング方法及び装置を提供する。【解決手段】 シリコン基板11上に層間絶縁膜12を介してAl合金層13が形成され、その上にレジストパターン14が形成されたウェハ10をエッチング室に導入し、エッチングガスのプラズマによりAl合金層13を選択エッチングするに際し、層間絶縁膜12が露出するまでのメインエッチング工程はプラズマ密度の高いエッチング条件で行い、その後オーバーエッチングは、プラズマ密度の低いエッチング条件で行うようにした。
請求項（抜粋）：
基板上に導体層が形成され、この導体層上にマスク材が形成されたウェハをエッチング室に導入し、エッチングガスのプラズマにより前記導体層を選択エッチングするドライエッチング方法において、前記導体層の下地が露出するまでプラズマ密度の高いエッチング条件で前記導体層をエッチングするメインエッチング工程と、このメインエッチング工程よりプラズマ密度の低いエッチング条件でオーバーエッチングして残存する導体層を除去するオーバーエッチング工程とを有することを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 21/302 G
, C23F 4/00 A
, H01L 21/302 F
