特許
J-GLOBAL ID：200903068837761920
半導体センサ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 祐介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-331676
公開番号（公開出願番号）：特開平8-159899
出願日： 1994年12月09日
公開日（公表日）： 1996年06月21日
要約：
【要約】【目的】 半導体センサの特性を揃えるために不可欠な薄膜抵抗パターンのレーザトリミングによる切断量を少なくして、抵抗値の精度向上、トリミング作業の容易化・作業時間短縮化を図る。【構成】 センサチップの表面において配線ライン16、17間に形成される金属薄膜抵抗15を、粗調整トリミング部31と微調整トリミング部32とから構成する。粗調整トリミング部31は、複数の細幅部33を有する蛇行ラダーパターンとし、その複数の細幅部33を一方の配線ライン16に接続しておく。レーザトリミング法によってこれらの細幅部33を切断し、その切断個数によって抵抗値の粗調整を行なう。細幅部33を切断する際の切断量は小さいものであるから、抵抗値が不安定にならない。
請求項（抜粋）：
半導体チップと、該チップ上に形成されたピエゾ抵抗体と、該ピエゾ抵抗体と同一の半導体チップ上に形成された薄膜抵抗とを備える半導体センサにおいて、上記の薄膜抵抗のパターンが、複数の細幅部を備えるパターンとされていることを備えることを特徴とする半導体センサ。
IPC (2件)：
G01L 9/04 101
, G01P 15/12
