特許
J-GLOBAL ID:200903068849200240
レーザ加工方法及び加工対象物
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
長谷川 芳樹
, 寺崎 史朗
, 石田 悟
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-100516
公開番号(公開出願番号):特開2005-286218
出願日: 2004年03月30日
公開日(公表日): 2005年10月13日
要約:
【課題】 複数の機能素子を含む積層部が形成された基板を、機能素子を有する複数のチップに切断するに際し、基板と共に積層部の高精度な切断を可能にするレーザ加工方法を提供する。【解決手段】 このレーザ加工方法では、基板4に対する割れの発生させ易さが互いに異なる改質領域を各切断予定ライン5a〜5dに沿って形成している。そのため、エキスパンドテープを基板4の裏面に貼り付けて拡張させると、加工対象物1は複数の半導体チップに段階的に切断されることになる。このような段階的な切断は、各切断予定ライン5a〜5dに沿った部分に均等な引張応力を作用させ、その結果、基板4と共に切断予定ライン5a〜5d上の層間絶縁膜が精度良く切断されることになる。【選択図】 図14
請求項(抜粋):
複数の機能素子を含む積層部が表面に形成された基板の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することで、前記基板の切断予定ラインに沿って、切断の起点となる改質領域を前記基板の内部に形成するレーザ加工方法であって、
前記基板及び前記積層部を複数のブロックに切断するための第1の切断予定ラインに沿って第1の改質領域を形成する工程と、
前記ブロックを、前記機能素子を有する複数のチップに切断するための第2の切断予定ラインに沿って第2の改質領域を形成する工程とを含み、
前記第1の改質領域は、前記第2の改質領域に比べて前記基板に割れを発生させ易いものであることを特徴とするレーザ加工方法。
IPC (2件):
FI (2件):
H01L21/78 B
, B23K26/00 320E
Fターム (3件):
4E068AE00
, 4E068CD01
, 4E068DA10
引用特許:
出願人引用 (5件)
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レーザ加工方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2003-067276
出願人:浜松ホトニクス株式会社
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レーザ加工方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-067406
出願人:浜松ホトニクス株式会社
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特開平2-065156
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