特許

J-GLOBAL ID：200903068852138563

半導体装置

発明者： 柳川 洋
出願人/特許権者： 関西日本電気株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-150294
公開番号（公開出願番号）：特開2002-231949
出願日： 2001年05月21日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
要約：

【要約】【課題】 出力用MOSトランジスタのゲート・ソース間を一定電圧にクランプしたとき、出力用MOSトランジスタの閾値電圧VTの製造ばらつきがある場合、電流制限値も設計値に対してばらつくという問題がある。【解決手段】 出力用MOSトランジスタ21のゲート・ソース間を一定電圧にクランプするクランプ回路23は、出力用MOSトランジスタ21のドレインとソース間電圧を分圧抵抗24,25で分圧し、この分圧された電圧をNチャネル型スイッチング用MOSトランジスタ26のゲートに供給し、出力用MOSトランジスタ21に過電流が流れたとき、スイッチング用MOSトランジスタ26を導通させて、クランプ用MOSトランジスタ27,27の閾値電圧VTとスイッチング用MOSトランジスタ26のオン電圧との和をクランプ電圧として、出力用MOSトランジスタ21の出力電流を制限する。

請求項（抜粋）：

出力用MOSトランジスタと、出力用MOSトランジスタのゲート・ソース間電圧をクランプして出力用MOSトランジスタの過電流時の電流を制限するクランプ回路とを有した半導体装置において、前記クランプ回路が、前記出力用MOSトランジスタの閾値電圧の製造ばらつきに連動した閾値電圧を有しドレイン・ゲート間が短絡されたクランプ用MOSトランジスタによりクランプすることを特徴とした半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/78 657 ,  H01L 29/78 656 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/06

FI (4件)：

H01L 29/78 657 G ,  H01L 29/78 656 C ,  H01L 27/06 102 A ,  H01L 27/04 H

Fターム (13件)：

5F038BH02 ,  5F038BH04 ,  5F038BH07 ,  5F038BH11 ,  5F038DF01 ,  5F038DT12 ,  5F038EZ20 ,  5F048AB07 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BD04 ,  5F048BD07 ,  5F048CB07

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開平1-282858
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-022982   出願人：日産自動車株式会社
• 特公平7-020026
  

審査官引用 (3件)

• 特開平1-282858
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-022982   出願人：日産自動車株式会社
• 特公平7-020026