特許
J-GLOBAL ID:200903068866646898
エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-040788
公開番号(公開出願番号):特開2001-230077
出願日: 2000年02月18日
公開日(公表日): 2001年08月24日
要約:
【要約】【課題】 発光パターンの微細化と均一性を実現することが容易なEL素子の製造方法を提供する。【解決手段】 少なくとも、第1電極と、該第1電極上に形成されたEL層と、該EL層上に形成された第2電極とからなるEL素子の製造方法であって、前記EL層の少なくとも一部を、塗布液の吐出口またはその近傍に電極を設け、該電極に電圧を印加し、その塗布液を吐出する方法である電界ジェット法を用いて形成する。
請求項(抜粋):
少なくとも、第1電極と、該第1電極上に形成されたEL層と、該EL層上に形成された第2電極とからなるEL素子の製造方法であって、前記EL層の少なくとも一部を、塗布液の吐出口またはその近傍に電極を設け、該電極に電圧を印加し、その塗布液を吐出する方法である電界ジェット法を用いて形成することを特徴とする、EL素子の製造方法。
IPC (3件):
H05B 33/10
, B05D 1/04
, H05B 33/14
FI (3件):
H05B 33/10
, B05D 1/04 K
, H05B 33/14 A
Fターム (9件):
3K007AB00
, 3K007FA01
, 4D075AA09
, 4D075AA86
, 4D075AE03
, 4D075CA47
, 4D075DA06
, 4D075DC22
, 4D075EA05
引用特許: