特許
J-GLOBAL ID：200903068896904824
キャパシタ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-189588
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058791
出願日： 1999年07月02日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：
【要約】【課題】 スロップエッチングによるストレージNODE間の電気的ブリッジを防止でき、キャパシタンスが増えたキャパシタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 ストレージコンタクトプラグを形成する段階と、障壁金属膜、導電膜及び障壁金属膜より相対的に薄厚を有するように遷移金属膜を順に形成する段階と、ストレージNODE領域が定義されたマスクを用いて遷移金属膜、障壁金属膜、導電膜を順にエッチングしてストレージNODEを形成する段階と、導電膜の両側壁酸化を防止するための障壁金属スペーサをストレージNODE両側壁に形成し、少なくとも導電膜の両側壁を包むように形成する段階と、障壁金属スペーサを間に置いてストレージNODE両側壁に遷移金属スペーサを形成する段階と、ストレージNODEを含んで絶縁膜上に高誘電膜を形成する段階とを含むことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された絶縁膜をエッチングして前記半導体基板と電気的に連結されるストレージコンタクトプラグを形成する段階と、前記ストレージコンタクトプラグ及び前記絶縁膜上に導電膜、前記導電膜上部表面の酸化を防止するための障壁金属膜、前記導電膜及び障壁金属膜より相対的に薄厚を有するように遷移金属膜を順に形成する段階と、ストレージNODE領域が定義されたマスクを用いて前記遷移金属膜、障壁金属膜、そして導電膜を順にエッチングしてストレージNODEを形成する段階と、前記導電膜の両側壁酸化を防止するための障壁金属スペーサを前記ストレージNODE両側壁に形成し、少なくとも前記導電膜の両側壁を包むように形成する段階と、前記障壁金属スペーサを間に置いて前記ストレージNODE両側壁に遷移金属スペーサを形成する段階と、前記ストレージNODEを含んで前記絶縁膜上に高誘電膜を形成する段階とを含むことを特徴とする高誘電体キャパシタ製造方法。
IPC (3件)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 29/92
H01L 27/10 621 B
, H01L 29/92 Z
, H01L 27/10 651
