特許

J-GLOBAL ID：200903068946767130

BGA型半導体装置

発明者： 真田 芳秋
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-286475
公開番号（公開出願番号）：特開平11-121536
出願日： 1997年10月20日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：

【要約】【課題】 絶縁性フィルムの一主面に半導体素子電極と接続されるインナーリード部を有するキャリアテープで形成されたBGA型半導体装置の歩留まりを向上する。【解決手段】 絶縁性フィルムの一主面に半導体素子電極と接続されるインナーリード21を有するキャリアテープ14は、基材層6、導電パターン層5、熱可塑性接着剤層4からなり、隣接するインナーリード21とインナーリード21間に絶縁性フィルムである基材層6を残して、各インナーリード21毎に開口部9を個別に設ける。

請求項（抜粋）：

絶縁性フィルムの一主面に、半導体素子電極と接続されるインナーリード部を有するBGA型半導体装置であって、前記絶縁性フィルムは、前記インナーリード部毎に個別に開口部を有し、隣接するインナーリードとインナーリード間には、絶縁性フィルムが配設されたものであることを特徴とするBGA型半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 23/12

FI (2件)：

H01L 21/60 311 W ,  H01L 23/12 L

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-161399   出願人：日東電工株式会社