特許
J-GLOBAL ID：200903068957443582

フォトレジスト膜の現像方法

発明者：
井谷 俊郎

井谷 俊郎 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 西村 征生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-047256
公開番号（公開出願番号）：特開2000-250229
出願日： 1999年02月24日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
要約：
【要約】【課題】 露光後のフォトレジスト膜をパターニングするフォトレジスト膜の現像方法において、水分を残すことなく現像後の現像液を除去して良好なレジストパターンを得る。【解決手段】 開示されているフォトレジスト膜の現像方法は、化学増幅系ポジ型フォトレジストからなるフォトレジスト膜を露光した後、現像処理し、現像後の現像液を除去するために、純水に対して1〜20重量%のイソプロピルアルコールを混合した混合液を用いてリンスを行う。
請求項（抜粋）：
基板上にフォトレジストを塗布してフォトレジスト膜を形成した後、該フォトレジスト膜を露光し、次に該フォトレジスト膜を現像処理して所望の形状にパターニングするフォトレジスト膜の現像方法であって、前記現像処理における現像後の現像液を除去するために行うリンスを、純水とアルコールとの混合液を用いて行うことを特徴とするフォトレジスト膜の現像方法。
IPC (4件)：
G03F 7/32 501 ,  G03F 7/32 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027
FI (4件)：
G03F 7/32 501 ,  G03F 7/32 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 569 E
Fターム (21件)：
2H025AA00 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025FA14 ,  2H025FA17 ,  2H096AA00 ,  2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096BA20 ,  2H096EA03 ,  2H096EA05 ,  2H096FA01 ,  2H096GA08 ,  2H096GA17 ,  2H096GA18 ,  5F046LA12 ,  5F046LA14
引用特許：
審査官引用 (8件)
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