半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊藤洋二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-366454
公開番号（公開出願番号）：特開2001-185555
出願日： 1999年12月24日
公開日（公表日）： 2001年07月06日
要約：

【要約】【課題】 SOI基板を用いた半導体装置において、ゲッタリング層を形成する工程を用いずに、酸化膜の品質を向上させる。【解決手段】 SOI基板1に高不純物濃度層2を形成し、その表面に熱酸化膜4を形成し、この熱酸化膜4上にポリシリコン電極5を形成した構成のキャパシタにおいて、ポリシリコン電極5を形成した後に、N2雰囲気中で1150°C以上の高温熱処理を行う。この場合、高不純物濃度層2がボロンを不純物として形成されているときには、1150°C以上の温度で20分以上の熱処理を行う。また、高不純物濃度層2がリンを不純物として形成されているときには、1150°C以上の温度で20分以上60分以下の熱処理を行う。このような高温熱処理により、熱酸化膜4中の汚染物質をアニールアウトし、熱酸化膜4の品質を向上させることができる。

請求項（抜粋）：

SOI基板表面に酸化膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法において、前記SOI基板に拡散層を形成した後、その表面に前記酸化膜を形成し、この後、1150°C以上の温度で熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/322 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 21/322 Z , H01L 21/322 Q , H01L 27/04 C , H01L 29/78 627 Z

Fターム (15件)：

5F038AC03 , 5F038AC05 , 5F038AC14 , 5F038AC15 , 5F038AV06 , 5F038EZ13 , 5F038EZ16 , 5F110BB04 , 5F110BB12 , 5F110DD05 , 5F110EE09 , 5F110FF02 , 5F110FF23 , 5F110HJ13 , 5F110QQ05

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-177678 出願人：株式会社東芝

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