特許
J-GLOBAL ID：200903068965277268
多結晶シリコン薄膜積層体、シリコン薄膜太陽電池および薄膜トランジスタ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
友松 英爾 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-334123
公開番号（公開出願番号）：特開平9-153456
出願日： 1995年11月29日
公開日（公表日）： 1997年06月10日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、安価な基板が使用可能な低温で形成可能で、かつ欠陥が少なく均質で粒径が大きく、さらには配向性の優れた多結晶シリコン薄膜を有する多結晶シリコン薄膜積層体を提供することを目的とする。【解決手段】 基体1上に少なくとも結晶質を含むイオン結合性薄膜2および該イオン結合性薄膜の上に多結晶シリコン薄膜3が積層されていることを特徴とする多結晶シリコン薄膜積層体。
請求項（抜粋）：
基体上に少なくとも結晶質を含むイオン結合性薄膜および該イオン結合性薄膜の上に多結晶シリコン薄膜が積層されていることを特徴とする多結晶シリコン薄膜積層体。
IPC (4件)：
H01L 21/20
, H01L 29/786
, H01L 21/336
, H01L 31/04
H01L 21/20
, H01L 29/78 618 A
, H01L 31/04 H
