プラズマエッチング法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-332712
公開番号（公開出願番号）：特開2000-164567
出願日： 1998年11月24日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：

【要約】【課題】強誘電体薄膜等から成る被加工層を確実に微細加工することを可能とするプラズマエッチング法を提供する。【解決手段】プラズマエッチング法は、セラミックス部材の組織中にアルミニウム系材料が充填された母材12と、該母材12の表面に設けられたセラミックス層13とから成る複合部材11から構成され、静電チャック機能を有し、且つ、温度制御手段14,15を備えた基体載置ステージを使用し、高誘電体薄膜、強誘電体薄膜及び電極用材料層から構成された群から選択された少なくとも1層から成る被加工層を基体上に形成した後、SiO2、SiN、SOG、SiON及び低誘電率絶縁材料から構成された群から選択された絶縁材料から成るエッチング用マスクを該被加工層上に設け、次いで、基体を基体載置ステージ上に載置して該被加工層をプラズマエッチングする工程から成る。

請求項（抜粋）：

セラミックス部材の組織中にアルミニウム系材料が充填された母材と、該母材の表面に設けられたセラミックス層とから成る複合部材から構成され、静電チャック機能を有し、且つ、温度制御手段を備えた基体載置ステージを使用したプラズマエッチング法であって、基体上に被加工層を形成した後、該被加工層上にエッチング用マスクを設け、次いで、基体を基体載置ステージ上に載置して該被加工層をプラズマエッチングする工程から成り、被加工層は、高誘電体薄膜、強誘電体薄膜及び電極用材料層から構成された群から選択された少なくとも1層から成り、エッチング用マスクは、SiO2、SiN、SOG、SiON及び低誘電率絶縁材料から構成された群から選択された絶縁材料から成ることを特徴とするプラズマエッチング法。

IPC (9件)：

H01L 21/3065 , H01L 21/205 , H01L 21/31 , H01L 27/10 451 , H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (7件)：

H01L 21/302 B , H01L 21/205 , H01L 21/31 B , H01L 27/10 451 , H01L 21/302 H , H01L 27/10 651 , H01L 29/78 371

Fターム (52件)：

5F001AA17 , 5F001AD12 , 5F001AG10 , 5F001AG27 , 5F004BA20 , 5F004BB13 , 5F004BB22 , 5F004BB26 , 5F004BB29 , 5F004CA04 , 5F004CA06 , 5F004DA04 , 5F004DA23 , 5F004DB12 , 5F004DB13 , 5F004EA03 , 5F004EA06 , 5F004EA07 , 5F004EB01 , 5F004EB02 , 5F004EB03 , 5F045AA04 , 5F045AB31 , 5F045AC07 , 5F045AC11 , 5F045AD10 , 5F045AD11 , 5F045AE19 , 5F045AE21 , 5F045EK09 , 5F045EM05 , 5F045HA13 , 5F045HA16 , 5F083AD21 , 5F083AD42 , 5F083AD48 , 5F083AD49 , 5F083FR02 , 5F083JA14 , 5F083JA15 , 5F083JA17 , 5F083JA35 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA43 , 5F083JA56 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083MA20 , 5F083PR03 , 5F083PR07 , 5F083PR21

引用特許：

審査官引用 (3件)

静電チャックデバイスおよび静電チャック用基台
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-089926 出願人：日本セメント株式会社
Pt膜のエッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-175364 出願人：シャープ株式会社
半導体基板の温度調節機構
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-094296 出願人：有限会社ミヤタアールアンディ

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