特許
J-GLOBAL ID：200903068990100402
強誘電体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
紋田 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-157844
公開番号（公開出願番号）：特開平11-353898
出願日： 1998年06月05日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：
【要約】【課題】 強誘電体記憶装置のスクリーニングに際し、劣化による不良モードをとなる強誘電体メモリセルを、実際に劣化させることなくスクリーニングするとともに、スクリーニングに要する時間を短縮した強誘電体記憶装置を得ること。【解決手段】 強誘電体キャパシタと、この強誘電体キャパシタの一端が接続され、浮遊キャパシタを有する読み出し線と、前記浮遊キャパシタと並列に前記読み出し線に接続可能なテスト用キャパシタとを備え、前記テスト用キャパシタを前記読み出し線に接続した状態で、前記強誘電体キャパシタの他端に電圧を印加し、前記読み出し線に発生した電位を検知することにより、スクリーニングを行うことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
強誘電体キャパシタと、この強誘電体キャパシタの一端が接続され、ビット線キャパシタを有する読み出し線と、前記ビット線キャパシタと並列に前記読み出し線に接続可能なテスト用キャパシタとを備え、前記テスト用キャパシタを前記読み出し線に接続した状態で、前記強誘電体キャパシタの他端に電圧を印加し、前記読み出し線に発生した電位を検知することを特徴とする強誘電体記憶装置。
IPC (5件)：
G11C 29/00 671
, G01R 31/28
, G11C 11/22
, G11C 14/00
, G11C 11/401
G11C 29/00 671 F
, G11C 11/22
, G01R 31/28 B
, G01R 31/28 V
, G11C 11/34 352 A
, G11C 11/34 371 A
