特許
J-GLOBAL ID：200903068998774097

薄膜半導体装置

発明者：
池田 裕幸

池田 裕幸 について

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藤野 昌宏

藤野 昌宏 について

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九鬼 みどり

九鬼 みどり について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 鈴木 晴敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-212717
公開番号（公開出願番号）：特開平9-045774
出願日： 1995年07月28日
公開日（公表日）： 1997年02月14日
要約：
【要約】【課題】 薄膜半導体装置に形成される配線構造の交差部における絶縁性を改善する。【解決手段】 薄膜半導体装置は絶縁基板1上に少なくとも薄膜トランジスタ2及び配線部3が集積形成されている。配線部3は絶縁基板1にパタニング形成された下層配線4及び上層配線5と、少なくとも両配線4,5の交差部に介在する複合絶縁パッド6とを有する。この複合絶縁パッド6は、少なくとも下側絶縁膜7、中間半導体薄膜8及び上側絶縁膜9を含む。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上に少なくとも薄膜トランジスタ及び配線部が集積形成された薄膜半導体装置であって、前記配線部は、該絶縁基板にパタニング形成された下層配線及び上層配線と、少なくとも両配線の交差部に介在する複合絶縁パッドとを有し、前記複合絶縁パッドは、少なくとも下側絶縁膜、中間半導体薄膜及び上側絶縁膜を含む事を特徴とする薄膜半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/768 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/786
FI (5件)：
H01L 21/90 W ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/90 M ,  H01L 29/78 612 C ,  H01L 29/78 612 B
引用特許：
審査官引用 (7件)
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