亜鉛含有金属酸化物半導体およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-056848
公開番号（公開出願番号）：特開2005-217385
出願日： 2004年01月31日
公開日（公表日）： 2005年08月11日
要約：

【課題】結晶構造中に、二価のZnに酸素4個が配位したZnO4四面体を含む、紫外線領域に光吸収帯が存在する金属酸化物半導体を利用した、光触媒、太陽電池、光検出素子あるいは発光素子の紫外線領域における機能波長範囲を、紫外線領域のみならず、より長波長側(例えば可視光線領域)にも拡張する。【解決手段】結晶構造中に、二価のZnに酸素4個が配位したZnO4四面体を含む、紫外線領域に光吸収帯が存在する金属酸化物半導体の表面あるいは内部に存在するZnO4四面体の配位酸素元素を一つあるいは二つ取り除く。これにより、結晶構造中に、二価のZnに酸素4個が配位したZnO4四面体を含む、紫外線領域に光吸収帯が存在する金属酸化物半導体のバンドギャップを小さくし、光触媒、太陽電池、発光素子あるいは光検出素子の機能波長範囲を長波長側(例えば可視光線領域)に拡張する。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

紫外線領域に光吸収帯を有する半導体金属酸化物の結晶構造中に、二価の亜鉛元素が4個の酸素配位子で囲まれたZnO4四面体構造を有し、半導体金属酸化物の表面あるいは内部に、そのZnO4四面体から酸素原子1個あるいは2個が取り去られた、酸素原子が3配位したZnO3構造、あるいは2配位したZnO2構造が存在しており、前記金属酸化物半導体に比べて、バンドギャップが小さく、機能波長域が長波長領域に拡張されていることを特徴とする亜鉛含有金属酸化物半導体。

IPC (10件)：

H01L31/04 , B01J23/06 , B01J35/02 , C01B3/04 , C01B13/02 , C01G9/02 , C01G19/00 , C01G23/00 , H01L21/363 , H01L31/10

FI (10件)：

H01L31/04 E , B01J23/06 M , B01J35/02 J , C01B3/04 A , C01B13/02 B , C01G9/02 A , C01G19/00 A , C01G23/00 C , H01L21/363 , H01L31/10 A

Fターム (38件)：

4G042BA08 , 4G042BB04 , 4G047CA05 , 4G047CC03 , 4G047CD07 , 4G069BA48A , 4G069BB02A , 4G069BB04A , 4G069BB04B , 4G069BB06A , 4G069BC22A , 4G069BC29A , 4G069BC32A , 4G069BC33A , 4G069BC35A , 4G069BC35B , 4G069BC50A , 4G069BC68A , 4G069BC69A , 4G069BC70A , 4G069BC74A , 4G069BC75A , 4G069CC33 , 4G069DA05 , 4G069EC22X , 4G069EC22Y , 4G069EC24 , 5F049MB01 , 5F049WA03 , 5F049WA05 , 5F051AA09 , 5F103AA01 , 5F103DD30 , 5F103LL02 , 5F103LL04 , 5F103PP03 , 5H027BA11 , 5H027BC01

引用特許：

審査官引用 (7件)

光触媒体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-389657 出願人：JFEスチール株式会社, 川鉄建材株式会社
光触媒部材
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-279151 出願人：東陶機器株式会社
光触媒体の製造と使用方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-272004 出願人：共同印刷株式会社, 渡部俊也, 橋本和仁, 藤嶋昭

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