特許
J-GLOBAL ID：200903069014628741

インバータ制御用半導体装置

発明者：
中村 憲仁

中村 憲仁 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-170008
公開番号（公開出願番号）：特開2000-014161
出願日： 1998年06月17日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：
【要約】【課題】 電流検出抵抗を用いず、過電流検出を制御IC内で精度よく行う。【解決手段】 インバータ出力素子は、センス端子を持つパワートランジスタから構成される。センス電流ISは、IC内部の抵抗RSによりセンス電圧VSに変換される。コンパレータ3は、基準電圧V0とセンス電圧VSを比較した結果に基づいてゲートドライバ9にゲートオフ信号を出力する。また、環境条件による誤検出を防止するため、IC内部の抵抗R0,RSは、同じ場所、同じ向き、同じプロセスで形成され、各抵抗R0、RSの特性(温度特性を含む)が実質的に同じに設定される。また、電源VRには、インバータ出力素子のセンス電流のばらつきを相殺するような特性を持たせる。
請求項（抜粋）：
センス端子を有するトランジスタの動作を制御する1チップ化されたインバータ制御用半導体装置であって、前記トランジスタのセンス端子に流れるセンス電流をセンス電圧に変換する抵抗と、基準電圧と前記センス電圧を比較するコンパレータと、前記コンパレータの比較結果に基づいて前記トランジスタの動作を制御するゲートドライバとを具備することを特徴とするインバータ制御用半導体装置。
IPC (2件)：
H02M 7/48 ,  H03K 17/08
FI (2件)：
H02M 7/48 M ,  H03K 17/08 Z
Fターム (27件)：
5H007AA06 ,  5H007BB06 ,  5H007CA01 ,  5H007CC07 ,  5H007DB03 ,  5H007DB12 ,  5H007DC02 ,  5H007FA03 ,  5H007FA13 ,  5J055AX31 ,  5J055AX44 ,  5J055BX16 ,  5J055CX08 ,  5J055CX20 ,  5J055DX09 ,  5J055DX12 ,  5J055EX11 ,  5J055EY01 ,  5J055EY17 ,  5J055EZ04 ,  5J055EZ10 ,  5J055EZ59 ,  5J055FX04 ,  5J055FX08 ,  5J055FX32 ,  5J055FX38 ,  5J055GX01
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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