特許

J-GLOBAL ID：200903069020307990

化学増幅型レジスト組成物

発明者： 大森 克実 ,  羽田 英夫 ,  金子 文武 ,  佐藤 充 ,  佐藤 和史 ,  中山 寿昌
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社
代理人 (2件)： 阿形 明 ,  水口 崇敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-031087
公開番号（公開出願番号）：特開2005-157399
出願日： 2005年02月07日
公開日（公表日）： 2005年06月16日
要約：

【課題】 高感度を有し、かつ優れた形状のレジストパターンを与えるポジ型及びネガ型の化学増幅型レジスト組成物を提供する。【解決手段】 (A)酸の作用によりアルカリに対する溶解性が変化する被膜形成成分、及び(B)(b1)一般式【化1】 (R1は不活性有機基、R2は芳香族性多環式炭化水素基、飽和若しくは不飽和の非芳香族性多環式炭化水素基又はそれらの置換誘導体基)で表わされるオキシムスルホネート化合物と、(b2)オニウム塩との組み合せから成る酸発生剤を含有する化学増幅型レジスト組成物とする。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

(A)酸の作用によりアルカリに対する溶解性が変化する被膜形成成分、及び(B)(b1)一般式

IPC (4件)：

G03F7/039 ,  G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  H01L21/027

FI (4件)：

G03F7/039 601 ,  G03F7/004 503A ,  G03F7/038 601 ,  H01L21/30 502R

Fターム (15件)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE07 ,  2H025BG00 ,  2H025CB52 ,  2H025CC20 ,  2H025FA12

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特開平1-124848号公報(特許請求の範囲その他)
  
• 特開平2-154266号公報(特許請求の範囲その他)
  
• 特開平2-161444号公報(特許請求の範囲その他)
  
• 高感度の高解像度i-線ホトレジスト
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-144327   出願人：チバ-ガイギーアクチエンゲゼルシャフト, オーシージーミクロエレクトロニクスインコーポレーテッド