特許
J-GLOBAL ID：200903069044461191
半導体吸着コレットおよびダイボンド装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮田 金雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-347447
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168114
出願日： 1999年12月07日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：
【要約】【課題】 従来の自動ダイボンド装置では、コレットが半導体チップに被さった状態で、半導体チップとコレットの相対的な位置関係を外部から確認することができなかった。【解決手段】 開口部より半導体チップを吸着する吸着空間を形成する複数のテーパー面からなるテーパー部と、吸着空間を減圧するための空気路と、隣接する2つのテーパー面の切り欠きにより吸着空間角部に形成され、半導体チップ角部の上角を構成する上面及び両側面を露出させる切り欠き窓とを備える。
請求項（抜粋）：
開口部より半導体チップを吸着する吸着空間を形成する複数のテーパー面からなるテーパー部と、吸着空間を減圧するための空気路と、隣接する2つのテーパー面の切り欠きにより吸着空間角部に形成され、半導体チップ角部の上角を構成する上面及び両側面を露出させる切り欠き窓とを備えた半導体吸着コレット。
Fターム (3件)：
5F047FA08
, 5F047FA15
, 5F047FA16
