特許

J-GLOBAL ID：200903069048215772

半導体記憶装置

発明者： 平山 隆雄
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 加藤 朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-215927
公開番号（公開出願番号）：特開平11-045566
出願日： 1997年07月25日
公開日（公表日）： 1999年02月16日
要約：

【要約】【課題】電源電圧を2V付近に設定してセルフリフレッシュをさせたとき、リングオシレータの周期が速くなり消費電流が増加することを防ぐ半導体記憶装置の提供。【解決手段】電源電圧が低くなると周期が速くなるリングオシレータと、電源電圧が低くなると周期が遅くなるリングオシレータを組み合わせ、これにより電源電圧が低くなっても一定の周期を発生するリングオシレータとなる。周期が一定であれば、2V付近でセルフリフレッシュをさせたとき、リフレッシュ動作回数が必要以上に増えることがないのでそのときの消費電流の増加を防ぐことができる。

請求項（抜粋）：

外部電源を供給することにより発振するリングオシレータの発振周波数に基づく周期で記憶セルに対し記憶保持動作を行う半導体記憶装置において、前記外部電源電圧が低くなると発振周期が速くなるリングオシレータと、前記外部電源電圧が低くなると発振周期が遅くなるリングオシレータと、を組み合わせ、前記外部電源電圧が低くなっても一定の発振周期を保つように構成してなることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 11/406 ,  H03K 3/03

FI (2件)：

G11C 11/34 363 N ,  H03K 3/03

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-080863   出願人：株式会社東芝