特許
J-GLOBAL ID：200903069058296452
超臨界流体による炭素-ケイ素結合の切断方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮本 晴視
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-121750
公開番号（公開出願番号）：特開2004-323436
出願日： 2003年04月25日
公開日（公表日）： 2004年11月18日
要約：
【目的】酸化的脱シリル化により取り除くことが不可能であったアルキルシリル基をC-Si結合の切断により取り外す方法の提供【構成】下記の式1で表される有機ケイ素化合物と水とを混ぜ超臨界状態にすることにより前記化合物の炭素-ケイ素結合を切断し、炭素原子上に水素原子を導入する方法。【化1】式1中Rはアリール基、アルケニル基、アリル基およびアルキル基から選択される基であり、R’はアリール基、アルケニル基、アリル基およびアルキル基からなる群の有機基、水酸基、ハロゲン、アルコキシ基、シロキシ基、水素またはシリル基からなるヘテロ原子を含む基から独立に選択される基であり、SiはC-Si結合でR基に結合している。nは1以上の整数であり、nが2以上の場合SiR’3基は、同じでも異なっていても良い。とくに、R’の少なくとも2つの基がアルキル基であり、残りは水酸基、アルコキシ基、シロキシ基、ハロゲン、水素またはシリル基である場合が好ましい。
請求項（抜粋）：
下記の式1で表される有機ケイ素化合物と水とを混ぜ超臨界状態にすることにより前記化合物の炭素-ケイ素結合を切断し炭素原子上に水素原子を導入する方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (9件)：
4H006AA02
, 4H006AC13
, 4H006BA66
, 4H006BA69
, 4H006BB31
, 4H006BE60
, 4H039CA19
, 4H039CB90
, 4H039CD90
