特許

J-GLOBAL ID：200903069071462094

マグネトロンスパッタリング中の粒子発生に対するターゲット側壁の設計

発明者： ヴァン ゴッホ, ジム ,  トンプソン, ジム ,  シュヴァイツァー, マーク ,  タナカ, ヨイチロ ,  リュー, アラン ,  チャン, アンソニー, シーティー ,  ブラウン, カール ,  フォースター, ジョン, シー.
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  山田 行一 ,  鈴木 康仁
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-512442
公開番号（公開出願番号）：特表2004-504486
出願日： 2001年07月16日
公開日（公表日）： 2004年02月12日
要約：

物理気相堆積システム用の装置は、正味の侵食領域及び正味の再堆積領域を画成するアンダーカットが側壁にあるターゲットを含む。また、物理気相堆積システム用の装置は、正味の侵食領域及び正味の再堆積領域を画成するアンダーカットが側壁にあるターゲットを有し、前記アンダーカットは、正味の侵食領域を画成する下側部分と、正味の再堆積領域を画成する上側部分と、それらの間にある先端部とを有するリップを画成し、前記リップは、約0.01から0.05インチの水平延長部を有し、予め決定された転移点の0.002インチ内にアンダーカットが作られる。ターゲットの製造方法は、正味の侵食領域及び正味の再堆積領域を画成する転移点を、第1のターゲットの側壁に決定するステップと、決定された転移点に従って、第2のターゲットの側壁にアンダーカットを設けるステップとを含む。【選択図】図3C

請求項（抜粋）：

物理気相堆積システム用の装置であって、 正味の侵食領域及び正味の再堆積領域を画成するアンダーカットが側壁にあるターゲットを含む装置。

IPC (2件)：

C23C14/34 ,  H01L21/285

FI (2件)：

C23C14/34 B ,  H01L21/285 S

Fターム (11件)：

4K029AA06 ,  4K029BA17 ,  4K029BC03 ,  4K029BD01 ,  4K029CA05 ,  4K029DC03 ,  4K029DC12 ,  4K029DC34 ,  4M104BB14 ,  4M104DD39 ,  4M104DD40

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 銅スパッタリングタ-ゲット
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-359616   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド