半導体記憶装置とその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-018623
公開番号（公開出願番号）：特開平9-213822
出願日： 1996年02月05日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：

【要約】【課題】本発明の目的は、小面積で高集積化に適した、半導体記憶素子及び半導体記憶装置を提供することである。【解決手段】ソース領域、ドレイン領域を上下に設け、チャネルを上下方向に走らせることにより、小さい面積で作製可能とする。又は、ゲート電極を積層状に設け、側面にチャネルを設けることで小さい面積で作製可能とする。【効果】本発明により高集積、低消費電力の記憶装置が実現でき、システムの低消費電力化、小型化に顕著な効果がある。

請求項（抜粋）：

ソ-ス、ドレイン領域を有し該ドレイン領域は、絶縁膜を介してソ-ス領域の上あるいは下に設けられ、該ソ-ス領域は、チャネル領域を介してドレイン領域と接続され、該チャネル領域は、ゲ-ト絶縁膜を介してゲ-ト電極と接続され、チャネル領域近傍にキャリア閉じ込め領域を有し、上記キャリア閉じ込め領域にキャリアを保持することにより半導体素子のしきい電圧を変化させることで記憶を行なうことを特徴とする半導体記憶素子。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434

引用特許：

審査官引用 (3件)

薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-298772 出願人：富士通株式会社
特開平3-084964
特開平3-006856

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