特許
J-GLOBAL ID：200903069075859800
電界効果トランジスタ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
稲垣 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-029999
公開番号（公開出願番号）：特開平11-233525
出願日： 1998年02月12日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：
【要約】【課題】製造プロセスの変動や保護膜の性質の影響を受けにくく、安定した高いゲート/ドレイン間耐圧を有する高出力用電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】電界効果トランジスタの表面層の少なくともゲート/ドレイン間にp-GaAs層を有しており、それがゲート金属と接している。このときp-GaAs層は、ゲートとドレイン間に電圧がかかっていない状態では、中性化する濃度と厚さを有している。
請求項（抜粋）：
エピタキシャル成長層上に形成する電界効果トランジスタにおいて、電界効果トランジスタのゲートとドレインとの間の第1導電型の活性層表面に、ゲート金属と接して第2導電型の半導体層が形成され、該第2導電型の半導体層は、ゲート電極とドレイン電極との間に電位差がないときに、中性領域が形成される濃度と厚さとを持つことを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
