半導体ウエハ,半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-060794
公開番号（公開出願番号）：特開平9-252034
出願日： 1996年03月18日
公開日（公表日）： 1997年09月22日
要約：

【要約】【課題】半導体集積回路内のパッドの腐蝕を防止する半導体ウエハ,半導体装置及び半導体装置の製造方法を得る。【解決手段】半導体集積回路1aと半導体集積回路1a上のワイヤボンディング用パッド2からダイシングライン6にまたがる配線とを有する半導体ウエハをダイシングライン6に沿って切断してチップに分離する。配線の一部はウエハテスト用パッド残3aとしてチップ上に残り、ウエハテスト用パッド残3aの表面を絶縁膜9で被履する。従って、ウエハテスト用パッド残3aからの水分等の進入を防ぎ、半導体集積回路内のワイヤボンディング用パッド2の腐蝕を防止できるため、半導体装置の製品の信頼性、耐久性が向上する。

請求項（抜粋）：

第1のパッドを有する半導体集積回路を形成するための半導体集積回路形成領域と、前記半導体集積回路形成領域の周囲に形成され、前記半導体集積回路をチップとして切断するための切断領域と、前記切断領域上に存在する第2のパッドと、前記第1のパッドと前記第2のパッドとを電気的に接続し、かつ前記半導体集積回路形成領域上に折れ目を有する配線と、を備えた半導体ウエハ。

IPC (3件)：

H01L 21/66 , H01L 21/60 301 , H01L 21/301

FI (3件)：

H01L 21/66 E , H01L 21/60 301 N , H01L 21/78 L

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開平1-276735
特開平1-276735
特開平2-144931

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