半導体装置の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：三好秀和 , 岩▲崎▼ 幸邦 , 川又澄雄 , 中村友之 , 伊藤正和 , 高橋俊一 , 高松俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-006704
公開番号（公開出願番号）：特開2006-108716
出願日： 2006年01月13日
公開日（公表日）： 2006年04月20日
要約：

【課題】 SiN膜の燐酸を用いた選択的エッチングに代替するエッチング方法を有する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】共沸点が150°C以上のH2SO4とH2Oとの混合液をエッチング液として用い、共沸点温度で、SiN膜またはCVD法で作製されたSiON膜を、SiO2膜、Si基板またSi膜に対して選択的にエッチングする工程を有する。【選択図】図12

請求項（抜粋）：

共沸点が150°C以上のH2SO4とH2Oとの混合液をエッチング液として用い、共沸点温度で、SiN膜またはCVD法で作製されたSiON膜を、SiO2膜、Si基板またSi膜に対して選択的にエッチングする工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (1件)：

H01L 21/306

FI (1件)：

H01L21/306 E

Fターム (4件)：

5F043AA35 , 5F043AA37 , 5F043BB23 , 5F043BB25

引用特許：

出願人引用 (7件)

特公昭49-042834
特開昭51-073879
エッチング剤及びエッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-242228 出願人：日本モトローラ株式会社

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審査官引用 (7件)

特公昭49-042834
特開昭51-073879
エッチング剤及びエッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-242228 出願人：日本モトローラ株式会社

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