半導体装置における微細電極の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-118585
公開番号（公開出願番号）：特開平6-333931
出願日： 1993年05月20日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：

【要約】【目的】この発明は、上部径と下部径が等しく設定されるようにした柱状に構成される半導体装置における微細電極の製造方法を提供することを目的とする。【構成】半導体基板11上に形成されたアルミニウム配線13上に、この配線13に対応して開口15の形成されるパッシベーション膜14を形成し、その上に導電層16が形成される。そして、この上に形成されたレジスト膜17にホト穴18を露光現像によって開口し、このホト穴内にCu メッキ19およびはんだメッキ20を行い、レジスト膜を除去すると共にはんだメッキ20をリフローして柱状の電極を形成する。ここで、レジスト膜17にホト穴18が開口された後に、RIE装置によって酸素ガスのラジカルをプラズマ中で生成し、前記ホト穴を電界で加速衝撃することで異方性エッチングして、ホト穴下部に形成されたテーリング部を除去することで、ホト穴の上部径と下部径をほぼ一致させ、ホト穴形状を適正化する。

請求項（抜粋）：

半導体基板に形成された素子部に対応して、前記基板表面に配線層を形成する第1の工程と、前記配線層上に前記配線層に貫通する開口を形成した絶縁物保護層を形成する第2の工程と、前記保護層上に前記開口を介して前記配線層に接続される導電膜を形成する第3の工程と、前記導電膜上に形成しようとする微細電極の高さに相当する膜厚のレジスト膜を形成する第4の工程と、前記レジスト膜に前記絶縁物保護層の開口部に対応して、前記導電膜に至るホト穴を形成する第5の工程と、リアクティブイオンエッチングによって酸素ガスのラジカルをプラズマ中で生成し、前記ホト穴を電界で加速衝撃することで異方性エッチングする第6の工程と、前記異方性エッチングされた前記ホト穴にメッキ金属を埋め込み、前記レジスト膜を除去して柱状電極を形成する第7の工程とを具備し、前記第6の工程によって前記第5の工程で形成されたホト穴の底部に形成されたテーリング部が除去されるようにしたことを特徴とする半導体装置における微細電極の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/321 , H01L 21/28 , H01L 21/60 311

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-261938 出願人：三菱電機株式会社
特開平3-003334
特開平1-261824

全件表示

前のページに戻る