半導体記憶装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-276179
公開番号（公開出願番号）：特開平10-125080
出願日： 1996年10月18日
公開日（公表日）： 1998年05月15日
要約：

【要約】【課題】ブートブロック構成の半導体記憶装置にオート消去モードを導入する場合に、オート消去に際して消去対象となるブロック毎にブロックサイズに対応したブロックアドレスを生成するとともにブロック内部のメモリセルを選択するためのブロック内部セルアドレスを発生し得るアドレス回路系を実現する。【解決手段】メモリセルアレイ10が不均一なサイズを含む複数個の分割ブロックBK0〜BK10に分割された半導体記憶装置において、メモリセルアレイのうちのデータ消去の対象となるセルアレイ領域の複数のブロックをブロック単位としてブロック毎にシリアルに指定して自動的に消去させるオート消去に際して、消去対象となるブロック毎にブロックサイズに対応したブロックアドレスを生成するとともにブロック内部のメモリセルを選択するためのブロック内部セルアドレスを発生させるアドレス発生回路43とを具備する。

請求項（抜粋）：

不均一なブロックサイズを含むように分割された複数個の分割ブロックを有するメモリセルアレイと、前記メモリセルアレイのうちのデータ消去の対象となるセルアレイ領域の複数のブロックをブロック単位としてブロック毎にシリアルに指定して自動的に消去させるオート消去に際して、前記消去対象となるブロック毎にブロックサイズに対応したブロックアドレスを生成するとともにブロック内部のメモリセルを選択するためのブロック内部セルアドレスを発生させるアドレス発生回路とを具備することを特徴とする半導体記憶装置。

引用特許：

審査官引用 (4件)

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公報種別：公開公報出願番号：特願平6-157569 出願人：株式会社安川電機
特開昭58-105489
特開平4-351794

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