特許
J-GLOBAL ID：200903069101517921

固体撮像素子

発明者：
丸山 康

丸山 康 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 野田 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-141373
公開番号（公開出願番号）：特開2002-343955
出願日： 2001年05月11日
公開日（公表日）： 2002年11月29日
要約：
【要約】【課題】 歩留まりの向上、高駆動周波数化、消費電力の低減などを図る。【解決手段】 垂直電荷転送レジスター10および水平電荷転送レジスターはそれぞれ、半導体基板4上に形成されたゲート絶縁膜18、20、ならびにゲート絶縁膜18、20上に形成された複数の第1および第2の電極22、24を含み、第1および第2の電極22、24は電荷の転送方向に交互に配置され、第1および第2の電極22、24の間に層間絶縁膜26、28が介在している。そして、水平電荷転送レジスターのゲート絶縁膜20および層間絶縁膜28は、垂直電荷転送レジスター10のゲート絶縁膜18および層間絶縁膜26より薄く形成されている。
請求項（抜粋）：
多数の光電変換素子、垂直電荷転送レジスター、ならびに水平電荷転送レジスターを半導体基板上に形成して構成され、前記垂直電荷転送レジスターは前記光電変換素子の各グループごとに設けられて対応する光電変換素子グループから電荷を受け取って転送し、前記水平電荷転送レジスターは前記垂直電荷転送レジスターにより転送された電荷を前記垂直電荷転送レジスターから受け取って転送し、前記垂直電荷転送レジスターおよび前記水平電荷転送レジスターはそれぞれ、前記半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜、ならびに前記ゲート絶縁膜上に形成された複数の第1および第2の電極を含み、前記第1および第2の電極は電荷の転送方向に交互に配置され、前記第1および第2の電極の間に層間絶縁膜が介在している固体撮像素子であって、前記水平電荷転送レジスターの前記ゲート絶縁膜および前記層間絶縁膜のいずれか一方または両方が前記垂直電荷転送レジスターの対応する膜より薄く形成されていることを特徴とする固体撮像素子。
IPC (2件)：
H01L 27/148 ,  H04N 5/335
FI (2件)：
H04N 5/335 U ,  H01L 27/14 B
Fターム (15件)：
4M118AA03 ,  4M118AA04 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118CA02 ,  4M118DA03 ,  4M118DA18 ,  4M118DA27 ,  4M118EA17 ,  4M118FA06 ,  4M118FA45 ,  5C024CY42 ,  5C024CY47 ,  5C024GY01
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 特開平1-241863
  • 固体撮像装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-221236   出願人：株式会社東芝
  • 固体撮像装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-162918   出願人：株式会社東芝
審査官引用 (3件)
  • 特開平1-241863
  • 固体撮像装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-221236   出願人：株式会社東芝
  • 固体撮像装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-162918   出願人：株式会社東芝

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