半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-039496
公開番号（公開出願番号）：特開平7-142728
出願日： 1994年03月10日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：

【要約】【目的】 MOSトランジスタのドレイン側において、寄生のゲートオーバラップ容量ができないように改良された半導体装置を得ること。【構成】半導体基板1の上に第1のゲート電極40と第2のゲート電極41が設けられている。シリコン基板1の主表面中であって、第1のゲート電極40と第2のゲート電極41との間に、共通ドレイン電極44が設けられている。共通ドレイン領域44は、高濃度不純物領域44aと一対の低濃度不純物領域44bと、を含む。低濃度不純物領域44b,44cの外縁は、ゲート電極40,41の側壁面と同一平面上に位置している。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板の上に、互いに平行になるように設けられた第1のゲート電極と第2のゲート電極と、前記半導体基板と前記第1のゲート電極との間に設けられた第1のゲート酸化膜と、前記半導体基板と前記第2のゲート電極との間に設けられた第2のゲート酸化膜と、前記半導体基板の表面中であって、前記第1のゲート電極と前記第2のゲート電極との間に設けられた共通ドレイン領域と、前記半導体基板の表面中であって、かつ、前記第1のゲート電極を間に挟むように、前記共通ドレイン領域に対向して設けられた第1のソース領域と、前記半導体基板の表面中であって、かつ前記第2のゲート電極を間に挟むように、前記共通ドレイン領域に対向して設けられた第2のソース領域と、を備え、前記共通ドレイン領域は、前記第1および第2のゲート電極が延びる方向に拡がる高濃度不純物領域と、該高濃度不純物領域の両側に設けられた一対の低濃度不純物領域と、を含み、前記第1のゲート電極側の前記低濃度不純物領域の外縁は、前記第1のゲート電極の、前記共通ドレイン領域側の側壁面と同一表面上に位置しており、前記第2のゲート電極側の前記低濃度不純物領域の外縁は、前記第2のゲート電極の、前記共通ドレイン領域側の側壁面と同一表面上に位置している、半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/78 , H01L 21/336 , H01L 21/8234 , H01L 27/088

FI (2件)：

H01L 29/78 301 L , H01L 27/08 102 B

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開昭62-276874
特開昭57-062566
特開平4-023329

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