電磁線を放出するための半導体構造素子およびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：矢野敏雄 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-562790
公開番号（公開出願番号）：特表2003-524901
出願日： 2001年02月23日
公開日（公表日）： 2003年08月19日
要約：

【要約】本発明により、電磁線、特に光を放出するための半導体構造素子が提供され、該構造素子は以下の特徴:放射線を発生するための活性層、活性層と導電性に結合しているp-接触部、活性層と導電性に結合しているn-接触部、および電流通路を限定するための電流制限構造体を有し、電流制限構造体がn-接触部と活性層の間に備えられている。

請求項（抜粋）：

a)放射線を発生するための活性層(6)、b)活性層(6)と導電性に結合しているp-接触部(9)、c)活性層(6)と導電性に結合しているn-接触部(10)、およびd)電流通路を限定するための電流制限構造体(5)を有し、この場合に電流制限構造体(5)がn-接触部(10)と活性層(6)の間に備えられている、電磁線、特に光を放出するための半導体構造素子。

IPC (2件)：

H01S 5/343 610 , H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 5/343 610 , H01L 33/00 C

Fターム (25件)：

5F041AA21 , 5F041AA40 , 5F041AA44 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA33 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA51 , 5F041CA65 , 5F041CA71 , 5F041CA72 , 5F041CA73 , 5F041CB04 , 5F073AA08 , 5F073AA74 , 5F073CA17 , 5F073CB02 , 5F073CB04 , 5F073CB07 , 5F073DA05 , 5F073DA12 , 5F073DA14 , 5F073DA16 , 5F073EA23

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開平3-206677
半導体発光素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-238795 出願人：松下電器産業株式会社
窒化物半導体レーザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-095161 出願人：日亜化学工業株式会社

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