特許

J-GLOBAL ID：200903089039324780

窒化物半導体レーザ素子

発明者： 岩佐 成人 ,  中村 修二
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-095161
公開番号（公開出願番号）：特開平9-283854
出願日： 1996年04月17日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：

【要約】【目的】 窒化物半導体よりなるレーザ素子の閾値電流、駆動電圧を小さくできるレーザ素子を提供することにより、室温で連続発振可能な素子を実現する。【構成】 基板上部に形成されたn型層、活性層、およびp型層を有する窒化物半導体レーザ素子において、前記n型層側に電流狭窄層が設けられていることにより、低抵抗なn型層で電流狭窄されるため、レーザの駆動電圧が下がり連続発振可能となる。

請求項（抜粋）：

基板上部に形成されたn型層、活性層、およびp型層を有する窒化物半導体レーザ素子において、前記n型層側に電流狭窄層が設けられていることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平1-149498
  
• 特開平2-094686
  
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-038159   出願人：株式会社東芝
• 特開平2-219090
  
• 特開平4-280493