特許
J-GLOBAL ID：200903069151038951

半導体モード同期レーザ

発明者：
佐藤 憲史

佐藤 憲史 について

, 
石井 啓之

石井 啓之 について


出願人/特許権者：
日本電信電話株式会社

日本電信電話株式会社 について


代理人 (1件)： 光石 俊郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-292071
公開番号（公開出願番号）：特開2000-124543
出願日： 1998年10月14日
公開日（公表日）： 2000年04月28日
要約：
【要約】【課題】 光通信や光信号処理において必要とされる半導体モード同期レーザを提供する。【解決手段】 半導体モード同期レーザの繰り返し周波数と波長チャープの制御に有効なチャープトグレーティングを容易に低コストで実現することを可能にした。
請求項（抜粋）：
同一半導体基板上に半導体多層膜が形成され、メサストライプ状に加工され且つ半導体層で埋め込まれた埋め込み導波路レーザにおいて、導波路が光利得を有する半導体利得部と、電圧或いは電流を加えることにより光吸収係数或いは光利得係数が変化する半導体変調器部と、グレーティングを有する光フィルター部より構成され、上記光フィルター部が光出射端面の近傍に設置され、メサ幅が3ミクロン以下の範囲で光出射方向に沿って減少することを特徴とする半導体モード同期レーザ。
Fターム (10件)：
5F073AA13 ,  5F073AA22 ,  5F073AA35 ,  5F073AA36 ,  5F073AA61 ,  5F073AA65 ,  5F073AA74 ,  5F073AB21 ,  5F073CA12 ,  5F073EA29
引用特許：
審査官引用 (4件)
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