特許

J-GLOBAL ID：200903069153791991

垂直方向ゲートトランジスタとその製造方法

発明者： ホングゾング チュー
出願人/特許権者： ルーセント テクノロジーズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-061239
公開番号（公開出願番号）：特開2001-298097
出願日： 2001年03月06日
公開日（公表日）： 2001年10月26日
要約：

【要約】【課題】 垂直方向ゲートトランジスタ構造を形成する方法こと。【解決手段】 本発明の垂直方向ゲートトランジスタ600は、半導体ウエハ基板内に配置された第1ソース/ドレイン領域110と、前記第1ソース/ドレイン領域に隣接して配置され、前記第1ソース/ドレイン領域への電気的接続を与える導電層120と、前記第1ソース/ドレイン領域の上に配置された第2ソース/ドレイン領域650と、前記第1ソース/ドレイン領域から伸びて、前記第2ソース/ドレイン領域650にまで伸びる導電製チャネル605とを有する。

請求項（抜粋）：

(A) 半導体ウエハ基板内に配置された第1ソース/ドレイン領域(110)と、(B) 前記第1ソース/ドレイン領域(110)に隣接して配置され、前記第1ソース/ドレイン領域への電気的接続を与える導電層(120)と、(C) 前記第1ソース/ドレイン領域(110)の上に配置された第2ソース/ドレイン領域(650)と、(D) 前記第1ソース/ドレイン領域(110)から伸びて、ドレイン領域から前記第2ソース/ドレイン領域(650)にまで伸びる導電製チャネル(605)とを有することを特徴とする垂直方向ゲートトランジスタ。

IPC (7件)：

H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 29/41 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/78 653 ,  H01L 21/336

FI (8件)：

H01L 29/78 653 B ,  H01L 27/08 102 E ,  H01L 21/88 Q ,  H01L 27/08 102 B ,  H01L 29/44 B ,  H01L 29/78 301 X ,  H01L 29/78 658 E ,  H01L 29/78 658 G

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-198597   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-060426   出願人：ローム株式会社