特許
J-GLOBAL ID：200903069174430840
GaN系化合物半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-284899
公開番号（公開出願番号）：特開2000-114595
出願日： 1998年10月07日
公開日（公表日）： 2000年04月21日
要約：
【要約】【課題】 発光素子の大きさを小さくしてもn側の電極を広くしてアセンブリを容易にすると同時にマイクロバンプによる接合も省略できる新たな形態の主としてGaN系半導体化合物を利用した半導体発光素子を提供すること。【解決手段】 光透過性であって絶縁性の基板1aにGaN系の半導体化合物をn型層2とp型層3の順に積層し、p型層3の一部を除去してn型層2を露出させた面をn側電極のコンタクト面2aとし、p型層3の表面にオーミックのp側電極4を形成する半導体発光素子において、p側電極4にp側ボンディング電極5を積層し、コンタクト面2aからp側電極4の表面にかけて絶縁膜6を形成し、この絶縁膜6の表面であってp側電極4に覆い被さる領域まで展開させたn側ボンディング電極7を設ける。
請求項（抜粋）：
光透過性であって絶縁性の基板にn型層とp型層とを積層するとともにその積層体の同一面にn側電極とp側電極とを形成し、前記基板側を発光観測面側とするGaN系化合物半導体発光素子において、前記n型層の表面から前記光透過性の電極の表面の一部にかけて光透過性の絶縁膜を被膜形成し、前記n側電極を、前記絶縁膜の表面であって前記p側電極の一部に覆い被さる領域まで展開させてなるGaN系化合物半導体発光素子。
Fターム (7件)：
5F041CA03
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA82
, 5F041CA91
, 5F041CA93
, 5F041DA09
