半導体発光素子およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三好秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-244322
公開番号（公開出願番号）：特開平10-135519
出願日： 1997年09月09日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：

【要約】【課題】サージ耐圧が高く信頼性の高い半導体素子を提供する。【解決手段】 p側とn側電極の間に付加的な容量部とを形成した構造である。具体的にはサファイア基板101上のn型GaN半導体層102,GaN系活性層103およびp側GaN系半導体層103を有するLEDにおいて、n型GaN系半導体層の上にn側電極105を形成し、その上に絶縁膜106を介して、p側GaN系半導体層の上部から延長して形成された電極配線部108が配置され、キャパシタを構成している。

請求項（抜粋）：

p側電極とn側電極とを具備する半導体発光素子であって、該p側電極とn側電極との間に付加的な容量部を構成したことを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , H01S 3/18

FI (3件)：

H01L 33/00 E , H01L 33/00 C , H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-125033 出願人：豊田合成株式会社
半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-185340 出願人：豊田合成株式会社
特開平4-159784

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