特許
J-GLOBAL ID：200903069179245138
磁気抵抗効果素子及びメモリー素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-294409
公開番号（公開出願番号）：特開平9-121066
出願日： 1995年11月13日
公開日（公表日）： 1997年05月06日
要約：
【要約】【課題】 小さな磁界で大きな磁気抵抗変化を示す磁気抵抗効果素子及びこれを用いたメモリー素子を提供する。【解決手段】 基板1の上に、バッファー層等を介して励起光用の窓となる半導体膜2を設ける。半導体膜2の上に半導体膜3を設け、半導体膜3の上に非磁性金属膜(あるいは非磁性絶縁膜)4を設ける。非磁性金属膜(あるいは非磁性絶縁膜)4の上に、磁化曲線の角型性が良好な磁性膜5を設ける。基板1の下面に電極6を設け、磁性膜5の上に電極7を設ける。窓用半導体膜2にレーザー光を照射して半導体膜3中にスピン偏極した電子を励起させ、磁性膜5の界面での電子の散乱が磁性膜5の磁化方向と励起された電子のスピン偏極状態に依存することを利用する。
請求項（抜粋）：
偏向可能な光源と、前記光源を用いた光励起により電子のスピン偏極が可能な半導体部と、前記半導体部に接して設けられた磁性膜部と、前記半導体部と前記磁性膜部のそれぞれに設けられた電極部とを備えた磁気抵抗効果素子。
IPC (6件)：
H01L 43/08
, G11B 5/39
, G11C 11/14
, G11C 11/42
, H01F 10/30
, H01L 43/10
H01L 43/08 Z
, H01L 43/08 S
, G11B 5/39
, G11C 11/14 F
, G11C 11/42 D
, H01F 10/30
, H01L 43/10
