特許
J-GLOBAL ID：200903069215006471
化合物半導体上のメタルエピタキシャル膜の成長方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-083733
公開番号（公開出願番号）：特開平6-298595
出願日： 1993年04月12日
公開日（公表日）： 1994年10月25日
要約：
【要約】【目的】化合物半導体上に金属間化合物をエピタキシャル成長させる際に、特に連続性、平坦性に優れた膜を形成する方法を提供すること。【構成】上記目的は、化合物半導体上に金属間化合物をエピタキシャル成長させる方法において、核形成時の基板温度を低温とし、その後、基板温度を高温とすることを特徴とする化合物半導体上のメタルエピタキシャル膜の成長方法とすることによって達成することができる。
請求項（抜粋）：
化合物半導体上に金属間化合物をエピタキシャル成長させる方法において、核形成時の基板温度を低温とし、その後、基板温度を高温とすることを特徴とする化合物半導体上のメタルエピタキシャル膜の成長方法。
IPC (4件)：
C30B 23/02
, C30B 29/52
, H01L 21/285
, H01L 21/203
