特許
J-GLOBAL ID：200903069237287857

表面処理方法及び表面処理装置

発明者：
宮川 拓也

宮川 拓也 について

, 
青木 康次

青木 康次 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 上柳 雅誉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-387323
公開番号（公開出願番号）：特開2001-345302
出願日： 2000年12月20日
公開日（公表日）： 2001年12月14日
要約：
【要約】【課題】 表面処理効率を上昇させることのできる表面処理方法及び装置を提供する。【解決手段】 前記表面処理装置20は、密閉空間である室21を有しており、当該室21の床面側にシリコンウエハ22を配置している。前記室21は直方体形状になっており、上天井側に噴霧器26を挿入配置している。前記噴霧器26は下面を前記シリコンウエハ22に対向するよう配置してあり、噴霧器26から過酸化水素水27を室21内下方に放射状に散布できるようにしている。このため、室21内の過酸化水素水27をほぼ均一の密度となるように供給することができる。
請求項（抜粋）：
処理液を微粒化し、微粒化した前記処理液を前記処理液の沸点以上に加熱した被処理材に接触させて被処理材の表面を処理することを特徴とする表面処理方法。
IPC (8件)：
H01L 21/304 645 ,  C23C 8/40 ,  C23C 8/48 ,  C23F 1/24 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318
FI (8件)：
H01L 21/304 645 B ,  C23C 8/40 ,  C23C 8/48 ,  C23F 1/24 ,  H01L 21/316 S ,  H01L 21/318 A ,  H01L 21/302 H ,  H01L 21/306 R
Fターム (31件)：
4K057WA20 ,  4K057WB06 ,  4K057WB11 ,  4K057WB15 ,  4K057WE07 ,  4K057WM04 ,  4K057WM17 ,  4K057WN01 ,  5F004AA16 ,  5F004BA19 ,  5F004BB18 ,  5F004BB26 ,  5F004BD01 ,  5F004DA00 ,  5F004DA20 ,  5F004DA27 ,  5F004EA35 ,  5F043AA01 ,  5F043AA40 ,  5F043CC16 ,  5F043DD13 ,  5F043EE07 ,  5F058BA20 ,  5F058BB05 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BC08 ,  5F058BC09 ,  5F058BF63 ,  5F058BF64 ,  5F058BG03
引用特許：
審査官引用 (3件)

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